GIGABYTE TECHNOLOGY las placas base B660 y H610 que ofrecen una plataforma formidable y flexible a los usuarios. Con hasta 16 + 1 + 1 fases de diseño DrMOS VRM con cada fase con capacidad de hasta 60 amperios y un diseño térmico totalmente cubierto, la línea GIGABYTE B660 y H610 puede admitir perfectamente los últimos procesadores Intel Core de 12ª generación. La configuración de dos memorias de DDR4 y DDR5 con emocionantes funciones XMP ofrece un rendimiento notable, así como un rendimiento de almacenamiento superior, expansiones y red flexible, la línea GIGABYTE B660 y H610 ofrece un rendimiento increíble más allá de las expectativas de los usuarios.
Iniciado a partir de los chipsets B560, Intel incorporó a la función de overclocking de memoria el último chipset B660 con soporte de DDR4 y DDR5, lo que se ganó el favor del usuario en la serie B. Para permitir una potencia estable para la CPU bajo operación de alta velocidad y para mejorar el overclocking XMP en la memoria, las placas base de las series GIGABYTE B660 AORUS y GAMING adoptan hasta 16 + 1 + 1 fases de potencia con 60 amperios en cada fase. La línea AORUS también equipa un disipador térmico completamente cubierto y una almohadilla térmica de 5 W / mK para una disipación de calor avanzada y una estabilidad mejorada en el área VRM.
Las placas base GIGABYTE B660 continúan siendo compatibles con DDR4 y DDR5 del chipset Z690. Mejorados por el diseño de diseño exclusivo, los modelos compatibles con DDR4 pueden alcanzar una velocidad impresionante de 5600 MHz*, mientras que los modelos DDR5 se benefician de la nueva arquitectura de memoria para proporcionar una alta eficiencia energética, baja latencia y bajo consumo de energía. Además, las placas base GIGABYTE B660 DDR5 suben de nivel varias características avanzadas de la línea Z690. La función «DDR5 Unlocked Voltage» puede desbloquear el rango de ajuste del voltaje nativo de la memoria DDR5, lo que permite a los usuarios alcanzar un reloj de memoria más alto con más estabilidad. Además, la configuración del BIOS está optimizada correspondientemente a un nuevo nivel, que «DDR5 Auto Booster» puede aumentar la frecuencia nativa de DDR5 de 4800 MHz a 5000 MHz con un simple clic y aumentar automáticamente sus memorias después de que Windows se cargó. Esto permite que las mejoras de rendimiento ejerzan en el uso de la computación real. «DDR5 XMP Booster» permite a los usuarios elegir rápidamente entre múltiples perfiles de overclocking de memoria incorporados y preajustados. «Perfil de usuario XMP 3.0» permite a los usuarios crear y grabar perfiles XMP por su cuenta para liberar el rendimiento extremo de las memorias. Mejorado por encima de todo, la frecuencia de memoria de las placas base GIGABYTE B660 DDR5 se puede aumentar a XMP 6000 MHz.
Para los usuarios que planean mejorar el rendimiento del sistema reforzando la velocidad de acceso de los dispositivos de almacenamiento, los modelos GIGABYTE B660 AORUS, GAMING M-ATX y superiores integran dos conjuntos de ranuras PCIe 4.0 M.2 con al menos un protector térmico. Este diseño no solo extrae el máximo rendimiento a 7000 MB/s del último SSD del controlador PCIe 4.0, sino que los usuarios también pueden mejorar la velocidad de acceso configurando RAID.
En cuanto a la conectividad, las placas base de las series GIGABYTE B660 AORUS y GAMING están equipadas con Ethernet de 2,5 Gb y red WiFi 6/802.11ac 802.11ax para la red más flexible. Con la configuración adecuada, los usuarios pueden disfrutar de una red de gran ancho de banda sin complicaciones durante la batalla en línea o el almacenamiento en red. Cuando se trata de expansión externa, las placas base GIGABYTE selectas B660 adoptan USB 3.2 Gen2x2 Tipo C de 20 Gbps y el diseño frontal USB 3.2 Gen 2 Tipo-C proporciona una velocidad de transmisión más rápida y eficiente de los almacenamientos externos.
Las placas base GIGABYTE B660 y H610 se han lanzado al mercado. Junto con las placas base Z690, la robusta línea Intel 600 de GIGABYTE es la mejor opción de computadoras de escritorio de gama alta y juegos.
