Intel ha celebrado la apertura de Fab 9, su fábrica de vanguardia en Río Rancho, Nuevo México. Este hito forma parte de la inversión de 3.500 millones de dólares anunciada previamente por Intel para equipar sus operaciones en Nuevo México para la fabricación de tecnologías avanzadas de empaquetado de semiconductores, incluida la revolucionaria tecnología de empaquetado 3D de Intel, Foveros, que ofrece opciones flexibles para combinar múltiples chips optimizados en cuanto a potencia, rendimiento y coste.
«Hoy celebramos la apertura de las primeras operaciones de gran volumen de semiconductores de Intel y la única fábrica estadounidense que produce a escala las soluciones de embalaje más avanzadas del mundo. Esta tecnología de vanguardia distingue a Intel y ofrece a nuestros clientes ventajas reales en rendimiento, factor de forma y flexibilidad en las aplicaciones de diseño, todo ello dentro de una cadena de suministro resistente. Enhorabuena al equipo de Nuevo México, a toda la familia Intel, a nuestros proveedores y socios contratistas que colaboran y superan sin descanso los límites de la innovación en embalaje», declaró Keyvan Esfarjani, Vicepresidente Ejecutivo y Director de Operaciones Globales de Intel.
La red global de fábricas de Intel es una ventaja competitiva que permite la optimización de los productos, la mejora de las economías de escala y la resistencia de la cadena de suministro. Las instalaciones Fab 9 y Fab 11x de Río Rancho representan el primer emplazamiento operativo para la producción en masa de la tecnología avanzada de embalaje 3D de Intel. También es el primer centro de Intel de embalaje avanzado de gran volumen, que marca un proceso de fabricación integral que crea una cadena de suministro más eficiente desde la demanda hasta el producto final.
Fab 9 contribuirá a impulsar la próxima era de innovación de Intel en tecnologías avanzadas de embalaje. A medida que la industria de semiconductores avanza hacia la era heterogénea que utiliza múltiples «chiplets» en un encapsulado, las tecnologías de encapsulado avanzado, como Foveros y EMIB (puente de interconexión multi-die integrado), ofrecen un camino más rápido y rentable hacia la consecución de 1 billón de transistores en un chip y la ampliación de la Ley de Moore más allá de 2030.
Foveros, la tecnología de encapsulado avanzado 3D de Intel, es una solución pionera que permite fabricar procesadores con módulos informáticos apilados verticalmente, en lugar de uno al lado del otro. También permite a Intel y a sus clientes de fundición mezclar y combinar módulos informáticos para optimizar el coste y la eficiencia energética.
«Esta inversión de Intel subraya la continua dedicación de Nuevo México a devolver la fabricación a los Estados Unidos», declaró la Gobernadora Michelle Lujan Grisham. «Intel continúa desempeñando un papel clave en el panorama tecnológico del estado y fortaleciendo nuestra fuerza laboral, apoyando a miles de familias de Nuevo México».
La inversión de 3.500 millones de dólares en Río Rancho ha creado cientos de empleos de alta tecnología en Intel, más de 3.000 empleos en la construcción y otros 3.500 empleos en todo el estado.
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