G.SKILL anuncia mejoras en las memorias DDR5 R-DIMM

G.SKILL International se complace en anunciar la introducción de una revisión mejorada de la memoria DDR5 R-DIMM en el mercado. Basada en los estándares de revisión JEDEC recientemente publicados para DDR5 R-DIMM, la nueva memoria G.SKILL R-DIMM cuenta con una PCB de 16 capas para mejorar la integridad de la señal, además de agregar dos diodos de supresión de voltaje transitorio (TVS) y un fusible para la protección de voltaje. Diseñada para servidores empresariales y estaciones de trabajo profesionales, la nueva memoria DDR5 R-DIMM aporta avances de vanguardia en rendimiento y protección.

Integridad de señal mejorada con PCB de 16 capas

Estos nuevos módulos de memoria DDR5 R-DIMM cuentan con una PCB avanzada de 16 capas, una mejora significativa con respecto a los diseños anteriores de 8 o 10 capas. El aumento en el recuento de capas de PCB mejora la integridad de la señal para una mayor confiabilidad y estabilidad en la transmisión de datos, incluso bajo cargas de trabajo de alto rendimiento o overclockeadas, lo que la convierte en una opción de memoria DDR5 R-DIMM ideal para aplicaciones informáticas de alto rendimiento en servidores o estaciones de trabajo.

Protección de voltaje mejorada con TVS y fusible adicionales

Para protegerse contra niveles de potencia irregulares, cada uno de estos nuevos módulos DDR5 R-DIMM está equipado con dos diodos TVS bidireccionales y un fusible para garantizar que se mantengan los niveles de voltaje sostenidos y proteger el módulo de memoria contra picos de energía. Esta protección de doble capa sirve para permitir una estabilidad y fiabilidad óptimas, lo que convierte a la nueva memoria G.SKILL DDR5 R-DIMM en la mejor opción para cargas de trabajo críticas y sistemas informáticos de alto rendimiento de última generación.

Disponibilidad

Se espera que estos nuevos kits de memoria G.SKILL R-DIMM basados en los últimos estándares y diseños estén disponibles a través de los socios de distribución mundial de G.SKILL a mediados de 2025.