IBM, en colaboración con Siemens, anunció una nueva investigación destinada a avanzar en la arquitectura nanostack de IBM, una nueva arquitectura de transistores presentada por IBM a principios de este año. La colaboración reunirá el liderazgo de IBM en innovación de dispositivos semiconductores y la experiencia de Siemens en automatización del diseño electrónico (EDA), simulación de procesos, optimización litografía y software avanzado de fabricación para acelerar el desarrollo de nanostack.
Nanostack es el primer diseño tridimensional conocido de la industria, basado en nanosheets, apilando y escalonando verticalmente transistores para condensar más transistores en un chip, con casi 100.000 millones de transistores en un espacio del tamaño de una uña en su nodo actual de 7 angstrom. El diseño también permite el uso de diferentes combinaciones de materiales dentro de cada capa apilada para optimizar el rendimiento y la eficiencia energética de cada transistor independientemente del otro. Estas innovaciones suponen saltos sustanciales en eficiencia energética, rendimiento y escalado SRAM.
A principios de este año, IBM demostró la viabilidad de la Arquitectura de nanopilas. Ahora, se necesitan avances adicionales para preparar la tecnología para la fabricación y producción a gran escala.
A través de esta colaboración, IBM y Siemens trabajarán para avanzar en las técnicas de diseño, simulación y litografía necesarias para esta y futuras generaciones de nanostack más allá del nodo actual de 7 angstrom. La colaboración incluye el desarrollo de modelos virtuales avanzados de nanostack para modelar el rendimiento, optimizar diseños y abordar los desafíos de fabricación antes de construir chips.
Huiming Bu, Vicepresidente de Investigación y Desarrollo en Tecnología de Silicio, IBM: «Nanostack es una plataforma escalable de transistores diseñada para cambiar la escalada de dispositivos de 2D a 3D, representando un nuevo paradigma para la industria de semiconductores y un camino a seguir para la escalada lógica necesaria para apoyar la IA y otras tecnologías emergentes en la próxima década. Estamos encantados de trabajar con Siemens mientras seguimos avanzando en esta tecnología y explorando nuevos enfoques para extender la escalada a nivel de angstrom con nanostack.»
Ankur Gupta, Vicepresidente Ejecutivo, Cartera de IC EDA, Siemens»Escalar los semiconductores a la era angstrom exige una co-optimización estrechamente acoplada entre física de dispositivos, software de diseño y fabricación EDA, y fabricación. A medida que la IA física impone exigencias extraordinarias a la arquitectura de silicio, el diseño de nanopilas 3D de IBM representa un salto decisivo. La colaboración de Siemens con IBM para avanzar en la modelización virtual, simulación, litografía y optimizaciones de software de diseño necesarias para abordar las limitaciones físicas desde el principio y acelerar el desarrollo de estas arquitecturas complejas es realmente pionera.»
Al combinar el liderazgo de IBM en semiconductores con el avanzado software EDA y las tecnologías de simulación de Siemens, las empresas buscan acelerar los ciclos de desarrollo tecnológico y avanzar la base manufacturera necesaria para llevar el nanostack a la producción.
