En el marco del Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung ha presentado una hoja de ruta ambiciosa que promete transformar la infraestructura de la inteligencia artificial (IA). La compañía surcoreana reveló innovaciones clave diseñadas para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética en sistemas de computación de alto rendimiento (HPC).
Los hitos más importantes de esta presentación incluyen:
- zHBM: El fin de las distancias: Samsung introdujo el concepto de zHBM, una arquitectura revolucionaria que apila la memoria directamente sobre los aceleradores de IA en lugar de colocarla al lado. Esta estructura vertical permite un procesamiento ultra rápido, ofreciendo hasta 8 veces el rendimiento de HBM5 y multiplicando por diez la densidad de memoria.
- V10 BV-NAND de 400 capas: Por primera vez en la industria, se presentó la V10 BV-NAND, que utiliza tecnología de unión de obleas (wafer bonding) para alcanzar más de 400 capas. Este avance incrementa la densidad de almacenamiento en un 58% respecto a la generación anterior, optimizando el manejo de grandes volúmenes de datos.
- zNAND-O para IA en el borde: Pensando en aplicaciones en tiempo real, Samsung desarrolló zNAND-O, una solución de alto rendimiento con baja latencia optimizada para entornos de Edge AI.
- Soluciones integrales «Llave en Mano»: Como único fabricante de dispositivos integrados (IDM) que abarca memoria, fundición y empaquetado avanzado, Samsung ofrece una estrategia integral para reducir los ciclos de desarrollo de semiconductores de IA.
Con este arsenal tecnológico, que incluye también muestras de HBM4E y memorias con procesamiento integrado (LPDDR5X-PIM), Samsung se posiciona a la vanguardia de la próxima ola de la revolución industrial impulsada por la IA.
