G.SKILL se complace en anunciar una nueva especificación DDR5 de overclock de memoria de alta velocidad con una capacidad de kit ultra alta: DDR5-8000 CL44 con una capacidad de kit de 128 GB (64 GB x2). Este es el primer kit de memoria DDR5 del mundo con módulos de alta capacidad de 64 GB que alcanza el nivel extremo de overclock de DDR5-8000, estableciendo un nuevo hito para la computación de alto rendimiento, la creación de contenido, las aplicaciones de IA y las cargas de trabajo avanzadas de estaciones de trabajo.
Nueva era de overclocking de módulos DDR5 de 64 GB de alta capacidad
Diseñada para un rendimiento de overclocking de alta capacidad, la DDR5-8000 de 128 GB (64 GB x2) combina una velocidad de memoria ultra alta con una capacidad masiva del kit de memoria, superando la capacidad máxima del módulo anterior de 48 GB por módulo. Por fin, los usuarios avanzados y los creadores de contenido que buscan memoria de rendimiento de overclocking para aplicaciones que consumen mucha capacidad tendrán la solución de memoria DDR5 ideal. Consulte la captura de pantalla de validación a continuación para ver DDR5-8000 CL44-58-58 128 GB (64 GB x2) probado en la placa base ASUS ROG CROSSHAIR X870E APEX con el procesador de escritorio AMD Ryzen 9 9950X.
Extreme Speed DDR5-9000 CL48-64-64 64 GB (32 GB x2) Especificaciones del kit
Dedicado al desarrollo continuo de kits de memoria de rendimiento de overclock extremo, G.SKILL también anuncia una especificación de memoria DDR5-9000 CL48-64-64 de velocidad extrema con una capacidad de kit de 64 GB (32 GB x2). Vea la captura de pantalla de Memtest a continuación para ver esta especificación de memoria ejecutándose en la placa base ASUS ROG MAXIMUS Z890 APEX con un procesador de escritorio Intel Core Ultra 7 265K.
«Estamos muy emocionados de anunciar la primera memoria DDR5-8000 overclockeada del mundo con una capacidad total del kit de 128 GB», dice Frank Hung, Marketing de Producto de G.SKILL. «Este es otro hito para el rendimiento del overclock DDR5 que G.SKILL ha alcanzado con éxito, superando todos los límites anteriores para demostrar especificaciones de memoria nunca antes vistas».
