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Intel y SK Hynix negocian una alianza para fabricar DRAM en EE. UU.

Carlos Cantor
Última actualización: septiembre 16, 2026 7:22 pm
Carlos Cantor
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Intel y SK Hynix negocian una alianza para fabricar DRAM en EE. UU.
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SK Hynix se encuentra en conversaciones exploratorias con Intel para producir chips de memoria en suelo estadounidense por primera vez. Entre los escenarios considerados destaca el arrendamiento de parte de las futuras instalaciones de Intel en Ohio o la creación de una empresa conjunta (joint venture) con grandes firmas tecnológicas para asegurar el suministro de componentes clave.

Esta negociación se produce en un contexto de fuerte escasez de memorias (como DRAM y HBM) impulsada por el auge de la inteligencia artificial, sumado a la presión política de Washington para trasladar la cadena de suministro a EE. UU. mediante incentivos y amenazas de aranceles. Para Intel, el acuerdo supondría un alivio financiero clave ante los retrasos de su proyecto en Ohio, cuya apertura se ha postergado hacia 2030 y 2031.

Sin embargo, la iniciativa enfrenta importantes obstáculos:

  • Oposición regulatoria en Corea del Sur: El gobierno de Seúl podría someter la operación a revisión bajo la Ley de Protección de Tecnología Industrial, al considerar que la tecnología de memoria avanzada es un activo nacional sensible.
  • Mayores costos operativos: La fabricación en EE. UU. conlleva costos significativamente más altos en construcción, mano de obra y transporte en comparación con Asia.

Por ahora, SK Hynix e Intel han enfatizado que las conversaciones son preliminares y que no se ha alcanzado ningún acuerdo definitivo.

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